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硅平面器件制造中锈生缺陷与发射区陷落效应

  通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落效应”不仅与发射区杂质扩散的表面浓度,扩散时间及基区结深有关,而且与器件制造工艺过程中诱生缺陷,特别是与氧化杆状层错及微缺陷有关。文章探讨了诱生缺陷对这种效应影响的物理机构。提出了消除这种效应的方法。

  王海燕;卢景霄;吴芳;王子健;张宇翔;靳瑞敏;张丽伟;;多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究[J];人工晶体学报;2006年05期

  孙景琪;;电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(8) 第四讲 半导体器件(下)[J];电子世界;2010年10期

  俞诚;王文源;张爱忠;蒲荣生;周金龙;;一种新型LEC晶体管及其真空注入工艺[A];华东三省一市第三届真空学术交流会论文集[C];2000年

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  林玲;InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年

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  蒲红斌;SiCGe/SiC异质结光控达林顿晶体管设计及SiCGe/SiC异质结的制备[D];西安理工大学;2006年

  李文杰;基于SiGe BiCMOS技术的HBT设计及工艺研究[D];电子科技大学;2007年

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